半导体集成电路原理范文篇1

关键词：集成电路设计；创新型人才；培养模式

作者简介：谢海情（1982-），男，湖南耒阳人，长沙理工大学物理与电子科学学院，讲师。（湖南长沙410004）

基金项目：本文系长沙理工大学教学改革研究项目（项目编号：JG1348）的研究成果。

中图分类号：G642文献标识码：A文章编号：1007-0079（2013）28-0029-02

集成电路的产业规模和技术水平已成为一个国家综合国力的重要标志之一。近年来，我国集成电路产业发展迅速。2004年，我国集成电路产量为211亿块，销售额为545.3亿元。2011年一季度，我国集成电路总产量达到191亿块，销售额达348.4亿元，中国已经成为全球集成电路产业发展最快的地区之一。

我国集成电路产业经过多年的发展，已基本形成了四业（设计业、制造业、封装业和测试业）并举协同发展、四个相对集中的产业集群（长江三角洲、珠江三角洲、环渤海地区和京津地区）和多个国家集成电路产业化基地。[1，2]一直以来，国家对集成电路产业的发展高度重视，《中共中央国务院关于加强技术创新发展高科技实现产业化的决定》中将IC产业放在了电子信息产业的第一位。[3]随着我国集成电路设计产业突飞猛进地发展、繁荣，对集成电路设计相关人员的需求也日益增加，仅靠国内少数高校的研究生已很难满足产业发展的需要。为满足快速发展的集成电路产业对人才的需求，2001年教育部开始批准设置“集成电路设计与集成系统”本科专业。[4]集成电路设计在国内众多高等院校都由原来纯粹的研究生教学逐渐转为由本科教学开始。

本文从课程体系设置、实验实践教学等多方面详细分析了目前集成电路设计本科教学存在的问题。在此基础上，从三个方面提出了集成电路设计本科人才培养的改革措施，探索集成电路设计本科创新型人才培养模式。

一、集成电路设计本科人才培养存在的主要问题

1.课程设置及课程内容不合理，从而降低了学生的学习热情

目前，国内多数院校的集成电路设计专业在本科阶段主要开设有“固体物理”、“半导体物理”、“晶体管原理”、“数字集成电路设计”和“模拟集成电路设计”等专业课程。对于这些课程的开设主要存在下列问题：

（1）不重视专业基础课程的教学。“固体物理”、“半导体物理”和“晶体管原理”是集成电路方面的基础课，为后续更好地学习集成电路专业课提供理论基础。如果这些基础课程没学好，学生在学习后续相关专业知识时就会比较困难，进而直接导致学业的荒废。但有些高等院校将这些课程设置为选修课，设置较少的课程教学课时量，甚至少数院校不开设这些课程。

（2）课程开设顺序上存在很多问题。在部分高等院校的培养计划中，“固体物理”课程和“晶体管原理”课程同一个学期开设，造成了学生在学习“晶体管原理”课程时没有“固体物理”课程的基础，从而很难快速地进入状态，学习兴趣受到严重影响。

（3）基础课程的理论性太强，学生学习的兴趣不高。“固体物理”、“半导体物理”和“晶体管原理”是专业基础课程，理论性较强，公式推导较多，并且要求学生具有较好的数学基础。然而，一般来说，本科学生都比较厌烦复杂的理论分析和繁琐的公式推导，特别是基础相对较差的学生，再加上较强的数学基础要求，学生学习的积极性受到极大打击。此外，部分高校设置的专业基础课程教学课时量较少，学生不能全面、深入地学习，进一步削弱了学生的学习热情。[5]

2.实践教学量不足，学生动手能力差

电子设计自动化（Electronicdesignautomatic，EDA）是集成电路设计技术的必备基础手段。集成电路设计专业的本科毕业生必须掌握一些常用的EDA工具，对将来工作和继续深造学习都具有很大的促进作用。为了推广EDA工具的使用，许多EDA公司实施了专门的大学计划。我校购买了CADENCE软件以及高性能服务器，搭建数/模混合集成电路设计EDA平台，并与ALTERA公司共建了EDA/SOPC联合实验室。但学生的实际使用情况却喜忧参半，难以实现软件使用量的最大化。一方面，购买的软件等资源主要供学生实验课上使用，其余时间学生很少使用。另一方面，教师在上实验课时一般都采用填鸭式灌输方式，而不是学生自己摸索，从而难以理解、使知识融会贯通。因此，学生很容易忘记实验课上学到的知识点，在后续的工作或学习中要用到相关软件工具时需重新学习。动手能力差成为了集成电路设计方向本科生择业时的一大障碍。[6]

3.门类分科不合理，属性不一致

无论是从专业内容还是专业性质上分，集成电路设计方向都应该属于工科性质。然而，我校将该专业划归理科专业。这将导致虽然学习的课程与内容和其他高校工科性质的集成电路设计方向基本一致，毕业时学生却是获得理学学士，造成很多学生在就业时遇到问题。许多单位招聘时首先看的是毕业证和学位证，使得很多学生错失了就业的好机会。最终直接导致下一学年选择该专业的学生越来越少，只能靠调剂维持正常教学。另一方面，学生对集成电路产业现状和发展趋势了解甚少，对集成电路设计专业的优势了解不够，对集成电路设计人才市场需求和该专业的良好就业形势认识不清，从而不能充分激发学生的学习兴趣。

二、创新型人才培养的具体措施

1.改革课程教学，增强学生的创新能力

建立由公共基础、专业基础、专业方向和工程实践四大模块组成的集成电路设计专业课程体系。压缩公共基础课，取消与集成电路设计方向关系不大的基础课程（比如计算机文化基础课程）。合理安排专业基础课程和专业方向课程的开课顺序、课时量。在教学内容和教学方法上，集成电路设计的教师应该做到“授之以渔，而不是授之以鱼”。对于集成电路设计方向的本科生而言，其学习的内容是集成电路相关的最基础理论知识、电路结构及特点。其学习重点应该是掌握基础的电路结构以及分析电路的基本方法等，而不是电路各性能参数的具体推导。因此，教师在讲授“固体物理”和“晶体管原理”等集成电路设计专业基础课时，应该尽量避免冗长的公式及繁琐的推导，以免影响学生的学习兴趣。另外，适当减少理论教学中复杂的公式推导，而着重半导体器件工作原理和特性的物理意义的学习，既可使学生容易接受又有利于后续专业方向课程的学习。

2.完善实验实践环节，培养学生的创新能力

实验实践教学是培养学生的知识应用能力、实际动手能力、创新能力和社会适应能力的重要环节。对于集成电路设计专业而言，完善实验实践教学环节需要从以下三个方面着手：

（1）增加实验教学的课时量。目前，集成电路专业本科教学中的实验教学量过少。以“模拟集成电路设计”课程为例。总课时量为48学时，其中理论课38学时，实验教学仅10个学时。38学时的理论课包含了单级运算放大器、差分运算放大器、无源/有源电流镜、基准电压源电路、开关电路等多种电路结构。仅10个学时的实验教学还包括2～4学时的EDA工具学习，留给学生独自进行电路设计的就只有6～8个学时。学生不可能很好地理解理论课所学知识，更谈不上融会贯通，极大地削弱了学习兴趣。因此，增加本科教学的实验教学课时量可以有效地促进教学效果，激发学生的学习兴趣。

（2）完善和优化由课程设计、课程实训、生产实习、毕业实习和毕业设计构成的专业实习实践教学体系。该实习实践教学体系具备分级教学和多层次教学的特点，对集成电路专业创新型人才的培养具有重要作用，尤其是其中的课程设计和毕业设计。课程设计和毕业设计是理论基础和工程实践的有机结合，可以很好地培养学生的工程素质和创新能力。在这两个环节中，选题是关键，也是难点。选题既要具有一定的工程背景又要让学生感兴趣，从而不但培养学生的工程能力，而且激发学生学习的主动性、积极性和实践创新能力。

（3）应该将以CADENCE软件为主体建立的数/模混合集成电路设计EDA平台，以及与ALTERA公司共建的EDA/SOPC联合实验室作为开放式电子设计训练和综合创新性实验基地的重要组成部分，成为学生进行课程设计和毕业设计以及课外实践活动的平台，从而实现软件资源使用的最大化。

3.增加就业相关知识，增强学生的竞争能力

据相关部门统计，极少数集成电路设计专业的本科毕业生会从事集成电路设计方向相关工作，多数选择改行或继续学习深造。这是因为一方面本科生基本知识储备不够，更主要的原因是设置集成电路设计专业研究生课程的高等院校越来越多。然而，集成电路版图、集成电路工艺以及集成电路测试等与集成电路设计相关的工作岗位对集成电路设计知识的要求较低。从事上述几个工作岗位若干年将有助于从事集成电路设计工作。因此，就个人的长远发展而言，集成电路版图、集成电路工艺以及集成电路测试等工作岗位对于本科生而言更具有竞争力。因而，教师在讲授集成电路设计方面知识的基础上应有重点地讲授基本的集成电路版图、集成电路工艺流程、芯片测试等相关内容。

再者，定期举办学术报告会，让学生了解集成电路产业的最新发展现状和发展趋势，了解集成电路产业的市场需求，了解集成电路设计及相关人才市场需求，了解集成电路设计专业就业前景，从而激发学生的学习兴趣，充分调动学生的学习积极性。

三、结论

集成电路产业是我国的新兴战略性产业，是国民经济发展与社会信息化的重要基础。创新型人才是发展集成电路产业的关键。因而，大力推进集成电路产业的发展必须提高集成电路设计人才的培养质量。目前，我国内集成电路设计本科教育尚处于孕育发展阶段，虽适应IC产业发展的需求，但仍存在很多问题需要解决。本文根据调研结果分析目前集成电路设计本科人才培养存在的问题，结合我校实际情况提出了几项改革措施，但远没有涉及集成电路设计本科创新型人才培养模式的诸多方面。但是，可以预测，有政府的大力扶持和相关教师及学生的共同努力，我国的集成电路设计本科人才培养定会逐步走向成熟，最终建立完善的集成电路设计本科创新型人才培养模式。

参考文献：

[1]杨媛，余宁梅，高勇.半导体集成电路课程改革的探索与思考[J].中国科教创新导刊，2008，（3）.

[2]刘胜辉，崔林海，黄海.集成电路设计与集成系统专业课程体系研究与实践[J].教育与教学研究，2008，（22）.

[3]孙玲.关于培养集成电路专业应用型人才的思考[J].中国集成电路，2007，（4）.

[4]方卓红，曲英杰.关于集成电路设计与集成系统本科专业课程体系的研究[J].科技信息，2007，（27）.

半导体集成电路原理范文

半导体激光器的稳定性取决于驱动电源，电流的起伏会引起光功率的变化，从而影响激光器的性能。为确保半导体激光器安全可靠地工作，本文深入分析了半导体激光器电源工作原理，确定了驱动电源的主要环节的技术实施方案，设计高稳定半导体激光器的驱动电流源。这种设计电源实际上主要就是利用取样电路、调整电路、误差放大电路等电压来实现负反馈电路，针对设计的要求为各个模块选择了合适的器件，它能够对激光器提供一个稳定的受控电流，并能实时监视。为了使激光器稳定可靠的工作还设计了温控电路，激光器保护电路等。

【关键词】半导体激光器慢启动受控恒流源TEC温度控制

1半导体激光器的P-I特性

半导体激光器的P-I特性（又称L-I特性），这种设备实际上就是用来描述随注入电流IF不断改变和实际变化规律的激光器光功率P，是设计和应用半导体激光器的根本依据。只有在其PN结上合理加入正向电压，半导体激光器进入足够大电流的过程中，才可以形成激光，如图1所示为理想的输出P-I特性曲线。

从半导体激光器理论角度来说，如果在额定范围内运行半导体激光器的时候，注入电流IF和输出光功率P需要充分满足线性的关系，其一阶微分曲线是类似于水平的一条直线。如果一阶微分曲线上形成相对比较明显的拐点，或者是出现不是十分平滑的曲线，此时就可以表明半导体激光器上存在一定问题和缺陷。也可以说，如果在拐点驱动电流范围内运行半导体激光器的时候，注入电流值和输出光功率之间没有形成线性比例的关系。

2激光器驱动电路设计

在仔细分析了半导体激光器的工作特性和它在使用过程中提出的具体技术指标后，设计出了以下电路方案：

2.1慢启动电路

在没有慢启动措施的基础上就把半导体激光器驱动电源进行电路的接通和断开，此时电路中出现过渡的过程，也就是说在开启电源的过程中，出现很大幅度的驱动电流过冲，然后在经过过渡过程以后开始慢慢稳定。这种驱动电流过冲问题十分容易导致电击穿PN节。即使浪涌出现很长时间或者存在很大强度，也不保证会在第一次开启电源的过程中就完全丧失使激光器的作用，但在实际操作的时候因为多次受到浪涌的冲击，从而也会导致提高退化半导体激光器性能的速度，并且最终导致电源失效。所以，为防止此半导体激光器遭到电流的破坏，此时需要缓慢启动激光器驱动电源电路，保证能够缓慢上升电流输出额定值，以便于确保能够及时进入到正常工作区，这样可以有效地消除电源开或关时产生的浪涌冲击。本设计中用单片机延时后控制继电器U10B打开，并将激光器T10接入控制电路中，可有效的消除上电瞬间浪涌对激光器的冲击。具体电路如图2所示。

2.2积分电路

根据结构原理如图2所示，U15B与电阻R123，电容C123构成典型的积分电路，上电后即先对C123进行充电，输出电压对时间的积分，输出电压达到最大之后受直流电源的限制，致使运算放大器进入饱和状态，输出电压保持不变，而停止积分。通过该积分电路，调整MOS管的栅极电压，达到设定电流为恒流输出的目的。

2.3取样及放大电路

电路中以功率器件MOS管（IRF740）作为调整管，通过控制MOS管栅极电压，实现对激光管的电流进行控制，采样电阻连接到MOS管的源极（低端取样）。输出电流I0可由下式计算：

I0=*Vi

式中Vi为输入电压，R为取样电阻，F为反馈网络的反馈系数。由公式可知，要实现电路中激光器驱动电流的高稳定性关键要选择高稳定低温票电压基准，低温票系数取样电阻和低温票反馈网络。在本恒流源中采用精度是±1.0%的取样电阻，±215×10-5/℃的温度系数；小于1×10-6/℃的电压基准的温度系数，长期稳定度是2×10-5/℃。控制DAC0的电压大小就可以控制激光器流过的电流，进而控制激光器输出功率大小。

2.4受控恒流源电路

激光控制器由受控恒流源，其结构原理如图2所示。为了保障激光器能够输出稳定的激光，应该严格规范激光器中流过的电流，低噪声稳定恒流源就是供电电路。从0～2.5A之间能够进行连续可调的恒流源，以便于满足导体激光器不同规格的实际需求。恒流源核心为是大功率MOS管，负载就是激光器，并且合理串联恒流源，对MOS管栅极进行合理控制，以此来达到控制激光器电流的目的。但是实际操作的时候因为MOS管属于非线性器件，不能直接进行控制，因此需要合理使用线性控制。把0.1Ω的电阻串联在MOS管中，以此进行采样反馈，具备0～2.5A变化范围的MOS管的电流，0～2.5V范围的输入控制信号电压，放大10倍采样电阻电压以后正好匹配输入电压。以此在控制电流0～2.5A和电压0～2.5V之间构建起线性关系，单片机能够直接采集AII1输出电压，并且对其进行换算以后显示激光器电流。但是因为具备开环反馈系统，很容易导致出现自激，所以合理应用电阻连接1μF电容的方式，以此破坏自激条件，尽可能降低自激。

3激光器温度控制电路

3.1温度控制电路

温度对激光的品质有很大影响，主要影响到的指标有阈值特性，输出光功率，激光器波长等。电流恒定模式下的波长，每升高1℃的温度，就会增加0.1nm的激光波长，如果出现过高的温度会导致迅速老化或者损坏激光器。所以在激光器适合条件下控制温度，保障具备小于0.1℃温度起伏，以此来保障具备稳定的波长。激光器实际上是高电灵敏度的负载，此控制器需要具备保护过流的能力和供监控限制的能力。环境温度变化会严重激光器的性能，此时需要有效控制设备制热和制冷的能力。本设计中控温执行单元广泛采用了半导体制冷硅（TEC），选择型号为TES1-49035V3A温差70摄氏度小功率制冷器。半导体制冷硅（TEC）是利用玻耳贴效应制成的，玻耳贴效应是将电流以不同的方向通过双金属片所构成的结构时，能对其相接触的物体制冷或者加热，当半导体制冷器的制冷端和制热端的温差一定时，半导体制冷气的制冷端和制热端的制冷量与工作电流成正比。半导体致冷器TEC具备上述设备需要的能力，但需要真正双向的控制器，并且从冷端到热端之间不会出现温度死区。

TEC的驱动电路一般情况下都是合理应用“H”桥式，通过两个互补MOS管或者达林顿管构成。利用开关式驱动对H桥进行驱动，开关式驱动方式具备效率高和功耗小的特点。利用MC33886等芯片直接驱动开关式驱动，控制部分由单片机直接驱动，为了减小干扰采用光耦隔离进行控制。

大电流开关电路运行过程中会形成一定的噪声干扰，为了有效降低干扰，可以在一定程度上提高转换大开关管的时间，以此来有效减少高频开关噪声。这种形式虽然能够降低开关效率，但是也会大幅度提高和改变噪声，需要付出一定代价，但是也是值得的，此外因为TEC存在热惯性，改变的时候会出现延迟现象，会导致系统振荡。为了降低系统振荡，放大器两端可以及时并联积分电路，以便于有效提高延时并且也可以消除振荡。

3.2温度检测电路

温度测量技术目前已经是很成熟的技术，温度传感元件既有传统的热电偶，热敏电阻等温度传感器，又有现代集成式温度传感器，如AD590；数字温度传感器，如18B20；还有超高温度的光学温度传感器。其中热电偶和热敏电阻式工业生产过程自动化中最常用的两种温度传感器，热敏电阻由于在测量的灵敏度，线性，电路组成简单等诸多方面均优于热电偶，因此，在中低温测量中使用的更为广泛。本设计中采用了NTC薄膜热敏电阻MF5B贴片式10K精度1%。由于温度测量范围要求比较小，本设计中没有采用传统桥式测量电路，而是采用由NTC薄膜热敏电阻串联一支低温漂金属膜电阻构成，电源采用稳定的基准电源供电。将温度信号转换为电压信号送入AD中进行数据采集。热敏电阻符合国际分度表要求，故采用查表方法来计算测量温度。但是实际操作中也需要注意利用热敏电阻体现稳定温度，因此要在相同模块中安装TEC与热敏电阻，保障两者能够紧密耦合。

3.3温度控制实现

激光器温度控制基本上是以时间比例进行调节，或是固定参数PID调调节，模糊PID控制散发等。当然不同的控制算法控温精度也不尽相同。实现对温度的高为了达到控温精度的要求，本设计采用闭环负反馈温度控制系统。负反馈温度控制可以减小温度偏差，使被控对象TEC的温度控制在控温精度范围之内变化。偏差量经过调整后，输出控制量控制被控对象TEC的温度，被控对象的温度由采集单元负反馈到偏差量中，进而实时调整被控对象的温度。由于闭环控制加入了负反馈，因此大大提高了控制温度的精度。

精度控制需要对TEC的工作情况进行快速高效的控制，通常采用比例，积分，微分控制（PID）比较符合基于TEC的高精度温度控制的要求。单片机控制AD对温度的采集有一定的频率，因此反馈温度为离散的数字信号，本设计中使用的是离散化PID控制。离散化数学表达式如下：

u（k）=Kp{e（k）+

其中，e（k）为基本偏差，T*∑ki=0e（t）对应偏差的积分，[e（k）-e（k-1）]/T对应偏差的微分，u（k）是输出，Kp为比例系数，Ti为积分时间常数，Td为微分时间常数，T为采样周期。本设计中使用的为直接PID算法，即输出的控制量是由基本偏差，累计偏差，相对偏差直接计算得出。PID算法分为两个区间使用，使用的函数如下：

Pout=

其中，Pout为输出的脉宽控制量；e（t）为温度基本偏差；∑e（t）为累计偏差，表示e（t）从1到t的全部总和；a为温度范围，温度超过此范围则全脉宽；Kp为比例系数；Ki为积分系数，Ki=Kp*T/Ti；Kd为微分系数，Kd=Kp*Td/T。从上面公式中可以看出温度控制并没有采用全温度PID算法，而是采用更加快速的超温度设定判别。在原理设定温度时采用全脉宽加热或制冷，这样可以迅速调整误差，是误差的绝对温度值以最快速减小。当温度接近设定温度后进入PID调节，比例环节可以控制调节速度，积分环节可以使温度接近设定温度，微分环节可以减低温度快速变化对输出的影响。

以上分别介绍了为了实现半导体激光稳定可靠的工作，采用了恒电流控制及恒温电路控制，并详细介绍了其工作原理，此外供电电源还要采用大电流低纹波电源作为供电系统。本方案中设计了慢上电电路对激光器进行保护，电路上还需要进行静电防护电路设计，以及过流保护设计等措施进一步对激光器进行保护。

参考文献

[1]尉广军，朱宇虹.几种恒流源电路的设计[J].电子与自动化，2000（1）：45-46.

[2]林咏海，毛海涛，张锦龙等.一种半导体激光器驱动电源的设计[J].激光杂志，2006，27（1）：12-17.

[3]黄松林.PID参数模糊字整定非线性系统仿真研究[J].机械工程与自动化，2007，（141）：92-95.

半导体集成电路原理范文

政策要有可操作性

今年已是中国半导体产业保持高速发展势头的第五年。业内人士普遍认为，在过去的五年中，虽然国家对半导体产业的直接投资并不多，但由于适时出台了一系列鼓励集成电路产业发展的政策，吸引了大量外资投入我国半导体产业，取得了世人瞩目的成就。北京市工业促进局电子信息产业发展处处长梁胜说：“尽管18号文在具体实施时有不尽人意的地方，但它最大的作用在于调动了各级地方政府的积极性，使我国的集成电路产业在停滞十多年后重新得到重视。”

“当前，半导体产业已经进入了高速发展期，如果此时能进一步落实尚未到位的政策，包括一些替代政策，能够更加有效地推动产业发展。”中芯国际北方区市场行销中心副总裁刘越指出。这也是业界共同的心声。大唐电信科技产业集团总工程师魏少军表示：“如果我们能在新的政策上延续18号文的积极作用，‘十一五’将成为非常关键的五年和卓有成效的五年，我国半导体产业有可能从原来完全跟随，转向部分领先，甚至在一些特殊领域引领世界潮流发展。”

梁胜介绍说，今年年初颁布的财建〔2008〕132号文中要从中央财政中设立集成电路产业研究与开发专项资金，对集成电路的研究与开发予以财政支持。但是今年3月资金管理暂行办法之后，至今具体的实施细则还没有出台，地方政府和企业对如何去落实十分茫然。

业内知名人士认为，新的扶持政策出台之后，比较现实的问题是难以执行。他指出，国家原来的扶持体系并没有错，各有关部委都掌握一定的资金，最好还是延用现有的一套体系，因为这套体系毕竟有监控机制，不应该再去搞一个“管理办法”，造成政府资源重复浪费。

士兰微电子董事长陈向东强调：“从国家宏观层面上来讲，国家的政策一定要强调可操作性，不能让具体的执行部门有模棱两可的理解。一旦出现这样的情况，权威部门要尽快做出解释并实施操作下去。”

体现公平原则

半导体产业界对新出台的替代政策最大的担忧是在确定扶持对象时能否真正体现公平原则。“新的以研发为导向的替代政策，千万不能变成扶贫基金，或者四处撒胡椒面。”魏少军再三强调，“18号文中增值税折返政策体现了按照企业贡献大小给予相应扶持的公平原则，希望新的替代政策能够继续遵循这一原则，公平使用基金，做到锦上添花而不单是雪中送炭，真正发挥基金推动半导体产业发展的作用。”台积电(上海)有限公司总经理赵应诚也非常认同这一观点，他指出：“在集成电路专项资金的发放上，不能采取平均主义的做法，四处撒雨点，而应该考虑其他可行方式。”

有关人士认为，新政策难以执行的一个很重要的原因，就是怎样确定扶持对象。“比较现实的做法应该根据企业的营业额、获利情况、纳税情况来确定扶持对象。”

以设计业为例，其强大并不体现为拥有400家小企业，而是拥有20家大企业。为此，赵应诚建议设立并购基金，选择已经达到利基期的设计公司，在其需要扩充产品线、扩大公司规模的时候，为其提供购并资金，并帮助其选择并购对象，提供相应管理。国家投资变为公司股本，帮助其成长壮大。

另外，针对国内整机企业对国产集成电路没有信心、不敢应用的现状，业内建议对集成电路应用环节也应给与支持。魏少军做了一个形象的比喻，让国内刚刚起步的设计企业与国外大牌厂商同台竞争，好比是让小孩和大人打架。如果要体现公平性，必须给小孩子武器。他指出：“如果政府能够给予一些政策性引导，比如对应用国产芯片的厂商给予增值税返还等同的政策，会对国内设计业起到很大的推动作用。”

扶持薄弱环节

产业界对半导体产业政策的另一个期待是，能够扶持半导体产业最关键而又最薄弱的环节。“今年初颁布的替代政策仅对从事集成电路设计、制造、封装、测试的企业予以支持，而未将长期以来卡住我国集成电路产业发展脖子的装备和材料列入其中，不能不说是极大的遗憾。”梁胜指出。

南通富士通微电子股份有限公司董事长、总经理石明达指出，国内产业链发展不均衡，配套能力不完备，特别是设备产业处于弱势。据了解，目前我国半导体设备制造业和发达国家相比至少存在2到3代的差距。而一代设备溶入了一代工艺技术，设备水平的高低决定了集成电路的制造发展水平。从国内半导体设备市场格局看，大约96%以上被外国公司占有。“说白了，封装厂一年到头辛苦赚来的钱大多买了设备，等于在为国外的设备供应商打工。”据石明达介绍，南通富士通新工厂一期工程设备投资占一期总投资的95%左右，二期预计也要达到这个数，其中，80%～90%的封测设备需要从国外进口。

北京七星华创电子股份有限公司总经理叶枫指出：“多年来国内集成电路设备制造企业虽然得到了国家的支持，使设备产业得以维持下来，但他们的确无法与国外公司竞争，除了技术上的原因外，政策上的不平等待遇也是原因。”